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TE位置传感器/AMR 开关传感器MEAS MS32


介绍: MS32 是一款采用惠斯通桥结构的磁场传感器。 该传感器的四个电阻均采用坡莫合金制成,这种材料具有各向异性磁阻效应。

MS32 是一款采用惠斯通桥结构的磁场传感器。 该传感器的四个电阻均采用坡莫合金制成,这种材料具有各向异性磁阻效应。与沿 y 轴的芯片(x-y 平面)平行的表面上存在一个单向磁场,将根据磁场提供输出信号。磁场开关点差不多与温度相互独立,通常设置为 Hs=1.85 kA/m。此外,宽磁场范围中的特征曲线呈线性。因此,新型 MS32 简化了传感器调整以适应不同的机械和磁场环境。传感器芯片采用 TDFN 封装。


特点

传感器基于固态磁阻效应

单极信号输出

线性磁场响应

高灵敏度,低磁滞

温度补偿开关点

高桥路电阻带来的低功耗

电源电压高达 30 V

小型 TDFN 封装


产品类型特性

产品类型  磁性开关传感器

电气特征

典型工作电压 (V) 5

典型平均电流 (mA) .5


使用环境

传感范围 (kA/m) 1.4 – 2.3

工组温度范围  -40 – 125 °C [ -40 – 257 °F ]


操作/应用

信号输出  无源模拟
典型信号振幅 (mV/V) 0


包装特性

封装  TDFN2.5x2.5

详细资料请下载PDF进行了解:

位置传感器_MS32_A1.pdf


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